
ASML looks set for higher EUV shipments as memory and leading-edge fab expansions tighten tool demand.
我们认为,ASML 将进一步缓解产能瓶颈,2027 年 low-NA EUV 产能有望超过 95 台,高于公司目前 85 台的指引。我们的产业调研也显示,供应链正在按更高的出货目标安排生产。我们维持 2026 年 EUV 总出货 70 台的预测,并将 2027/28 年预测上调至 100/125 台。
存储需求持续强劲,EUV 是提高产出的重要途径。Micron 在 9 月底的 FY26Q4 财报电话会上预计,FY27Q1 资本开支约为 $11.5b,FY27 上半年约为 $25b,下半年将高于上半年,据此推算全年将超过 $50b。DRAM 洁净室空间紧张,战略客户协议 (SCA) 又使直至本十年末的需求更为明确,因此我们预计 Micron 将提前采购部分设备以扩大产能。SK hynix 于 7 月底将 2026 年资本开支上调至 KRW 40tn 区间的高位,主要由于 M15X 提前量产,以及龙仁 Fab 1 洁净室启用时间由 2027 年 5 月提前至 2 月,启用后将快速扩产。在洁净室空间受限的情况下,存储厂商可通过增加 EUV 应用、替代 DUV 多重图形化,减少工艺步骤、释放晶圆厂空间并提高单片晶圆产出。Samsung 也已公布计划,最迟于 2028 年将 high-NA EUV 导入 DRAM 量产,存储制造对光刻设备的需求强度有望持续提高。
先进制程扩产加速,海外新厂支撑更长期的设备需求。我们预计,TSMC 将在 2027 年完成多座新厂建设并开始设备搬入,ASML 将相应提高 EUV 供应。据报道,TSMC 正评估在 德州达拉斯 建立第二个美国生产基地,最多建设六座先进制程晶圆厂。若该计划确认,先进制程设备的需求预期将延伸至 2028 年以后。Intel 于 7 月将 2026 年资本开支指引从 $18b 上调至 $20b,并于 8 月完成 $20b 增资。管理层表示,正积极向供应商锁定设备订单,并加快洁净室建设。我们预计 Intel 有望继续上调资本开支指引,带动 2028 年 EUV 需求增加。
我们维持 2026 年 EUV 总出货 70 台的预测,并将 2027/28 年预测上调至 100/125 台。预计 2026/27/28 年 EPS 分别为 EUR 40.1/59.0/73.3;按 10 月 6 日欧洲市场收盘价计算,对应 P/E 为 40.8x/27.7x/22.3x。
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